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Typical Characteristics
1.2
V GS = V DS
1.10
I D = 250 μ A
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
I D = 250 μ A
1.05
1.00
0.95
0.5
-80
-40 0 40 80 120 160
200
0.90
-80
-40
0
40
80
120
160
200
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 11. Normalized Gate Threshold Voltage vs
Junction Temperature
40000
C iss
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 12. Normalized Drain to Source
Breakdown Voltage vs Junction Temperature
10
I D = 80A
10000
C oss
8
6
V DD = 15V
V DD = 20V
V DD = 25V
1000
f = 1MHz
C rss
4
2
V GS = 0V
100
0.1 1 10
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE ( V )
50
0
0
50 100 150
Q g , GATE CHARGE(nC)
200
Figure 13. Capacitance vs Drain to Source
Voltage
Figure 14. Gate Charge vs Gate to Source Voltage
FDB8442 Rev. C0
6
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